Sulfur-doped black silicon formed by metal-assist chemical etching and ion implanting
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, K ; Qu, SC ; Zhang, XH ; Tan, FR ; Bi, Y ; Lu, SD ; Wang, ZG |
| 刊名 | applied physics a-materials science & processing
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 114期号:3页码:765-768 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26352]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, K,Qu, SC,Zhang, XH,et al. Sulfur-doped black silicon formed by metal-assist chemical etching and ion implanting[J]. applied physics a-materials science & processing,2014,114(3):765-768. |
| APA | Liu, K.,Qu, SC.,Zhang, XH.,Tan, FR.,Bi, Y.,...&Wang, ZG.(2014).Sulfur-doped black silicon formed by metal-assist chemical etching and ion implanting.applied physics a-materials science & processing,114(3),765-768. |
| MLA | Liu, K,et al."Sulfur-doped black silicon formed by metal-assist chemical etching and ion implanting".applied physics a-materials science & processing 114.3(2014):765-768. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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