Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huo, WJ ; Liang, S ; Zhang, C ; Tan, SY ; Han, LS ; Xie, HY ; Zhu, HL ; Wang, W |
| 刊名 | optics express
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 22期号:2页码:1806-1814 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26356]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huo, WJ,Liang, S,Zhang, C,et al. Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors[J]. optics express,2014,22(2):1806-1814. |
| APA | Huo, WJ.,Liang, S.,Zhang, C.,Tan, SY.,Han, LS.,...&Wang, W.(2014).Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors.optics express,22(2),1806-1814. |
| MLA | Huo, WJ,et al."Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors".optics express 22.2(2014):1806-1814. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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