Low temperature electrical transport and photoresponsive properties of H-doped MoO3 nanosheets
文献类型：期刊论文
| ; | |
| 作者 | Yang, JH; Lu, FY; Li, Y; Yang, SX; Li, RX; Huo, NJ; Fan, C; Wei, ZM; Li, JB; Li, SS |
| 刊名 | journal of materials chemistry c
 ; JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
|
| 出版日期 | 2014 ; 2014 |
| 卷号 | 2期号:6页码:1034-1040 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2015-05-11 ; 2015-05-11 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26458]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, JH,Lu, FY,Li, Y,et al. Low temperature electrical transport and photoresponsive properties of H-doped MoO3 nanosheets, Low temperature electrical transport and photoresponsive properties of H-doped MoO3 nanosheets[J]. journal of materials chemistry c, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C,2014, 2014,2, 2(6):1034-1040, 1034-1040. |
| APA | Yang, JH.,Lu, FY.,Li, Y.,Yang, SX.,Li, RX.,...&Li, SS.(2014).Low temperature electrical transport and photoresponsive properties of H-doped MoO3 nanosheets.journal of materials chemistry c,2(6),1034-1040. |
| MLA | Yang, JH,et al."Low temperature electrical transport and photoresponsive properties of H-doped MoO3 nanosheets".journal of materials chemistry c 2.6(2014):1034-1040. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。