Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays
文献类型：期刊论文
| 作者 | B. D. Liu ; F. Yuan ; B. Dierre ; T. Sekiguchi ; S. Zhang ; Y. K. Xu ; X. Jiang |
| 刊名 | Acs Applied Materials & Interfaces
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 6期号:16页码:14159-14166 |
| 关键词 | GaN nanowire arrays epitaxial growth interface yellow-band emission vapor-phase epitaxy gallium nitride spatial-distribution luminescence carbon cathodoluminescence microstructure nanodevices fabrication mechanism |
| ISSN号 | 1944-8244 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-01-14 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73295]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B. D. Liu,F. Yuan,B. Dierre,et al. Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays[J]. Acs Applied Materials & Interfaces,2014,6(16):14159-14166. |
| APA | B. D. Liu.,F. Yuan.,B. Dierre.,T. Sekiguchi.,S. Zhang.,...&X. Jiang.(2014).Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays.Acs Applied Materials & Interfaces,6(16),14159-14166. |
| MLA | B. D. Liu,et al."Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays".Acs Applied Materials & Interfaces 6.16(2014):14159-14166. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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