Stacking stability of MoS2 bilayer: An an initio study
文献类型：期刊论文
| 作者 | P. Tao ; H. H. Guo ; T. Yang ; Z. D. Zhang |
| 刊名 | Chinese Physics B
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 23期号:10 |
| 关键词 | MoS2 stacking order climbing-image nudge-elastic band isobaric sliding field-effect transistors metal dichalcogenides electronic-structure band-gap monolayer |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-01-14 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73388]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P. Tao,H. H. Guo,T. Yang,et al. Stacking stability of MoS2 bilayer: An an initio study[J]. Chinese Physics B,2014,23(10). |
| APA | P. Tao,H. H. Guo,T. Yang,&Z. D. Zhang.(2014).Stacking stability of MoS2 bilayer: An an initio study.Chinese Physics B,23(10). |
| MLA | P. Tao,et al."Stacking stability of MoS2 bilayer: An an initio study".Chinese Physics B 23.10(2014). |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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