Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy
文献类型:期刊论文
作者 | J. Wen ; H. Guo ; C. H. Yan ; Z. Y. Wang ; K. Chang ; P. Deng ; T. Zhang ; Z. D. Zhang ; S. H. Ji ; L. L. Wang ; K. He ; X. C. Ma ; X. Chen ; Q. K. Xue |
刊名 | Chinese Physics Letters |
出版日期 | 2014 |
卷号 | 31期号:11 |
ISSN号 | 0256-307X |
关键词 | 3-dimensional topological insulator single dirac cone electronic-structure bi2te3 surface bi2se3 limit |
原文出处 | |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2015-01-14 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73440] |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | J. Wen,H. Guo,C. H. Yan,et al. Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Physics Letters,2014,31(11). |
APA | J. Wen.,H. Guo.,C. H. Yan.,Z. Y. Wang.,K. Chang.,...&Q. K. Xue.(2014).Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy.Chinese Physics Letters,31(11). |
MLA | J. Wen,et al."Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy".Chinese Physics Letters 31.11(2014). |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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