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Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy

文献类型:期刊论文

作者J. Wen ; H. Guo ; C. H. Yan ; Z. Y. Wang ; K. Chang ; P. Deng ; T. Zhang ; Z. D. Zhang ; S. H. Ji ; L. L. Wang ; K. He ; X. C. Ma ; X. Chen ; Q. K. Xue
刊名Chinese Physics Letters
出版日期2014
卷号31期号:11
ISSN号0256-307X
关键词3-dimensional topological insulator single dirac cone electronic-structure bi2te3 surface bi2se3 limit
原文出处://WOS:000345156300033
语种英语
公开日期2015-01-14
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73440]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
J. Wen,H. Guo,C. H. Yan,et al. Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Physics Letters,2014,31(11).
APA J. Wen.,H. Guo.,C. H. Yan.,Z. Y. Wang.,K. Chang.,...&Q. K. Xue.(2014).Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy.Chinese Physics Letters,31(11).
MLA J. Wen,et al."Semimetal Na3Bi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy".Chinese Physics Letters 31.11(2014).

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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