Direct Observation of Atomic Dynamics and Silicon Doping at a Topological Defect in Graphene
文献类型：期刊论文
| 作者 | Z. Q. Yang ; L. C. Yin ; J. Lee ; W. C. Ren ; H. M. Cheng ; H. Q. Ye ; S. T. Pantelides ; S. J. Pennycook ; M. F. Chisholm |
| 刊名 | Angewandte Chemie-International Edition
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 53期号:34页码:8908-8912 |
| ISSN号 | 1433-7851 |
| 关键词 | density functional calculations doping electron microscopy graphene silicon single-molecule growth stability membranes films motor gas |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-01-14 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73473]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Z. Q. Yang,L. C. Yin,J. Lee,et al. Direct Observation of Atomic Dynamics and Silicon Doping at a Topological Defect in Graphene[J]. Angewandte Chemie-International Edition,2014,53(34):8908-8912. |
| APA | Z. Q. Yang.,L. C. Yin.,J. Lee.,W. C. Ren.,H. M. Cheng.,...&M. F. Chisholm.(2014).Direct Observation of Atomic Dynamics and Silicon Doping at a Topological Defect in Graphene.Angewandte Chemie-International Edition,53(34),8908-8912. |
| MLA | Z. Q. Yang,et al."Direct Observation of Atomic Dynamics and Silicon Doping at a Topological Defect in Graphene".Angewandte Chemie-International Edition 53.34(2014):8908-8912. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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