Ab initio calculations of quantum transport of Au-GaN-Au nanoscale junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | T. Zhang ; Y. Cheng ; X. R. Chen |
| 刊名 | Rsc Advances
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 4期号:94页码:51838-51844 |
| 关键词 | negative differential resistance molecular-transport conductance pseudopotentials device |
| ISSN号 | 2046-2069 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-01-14 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73499]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | T. Zhang,Y. Cheng,X. R. Chen. Ab initio calculations of quantum transport of Au-GaN-Au nanoscale junctions[J]. Rsc Advances,2014,4(94):51838-51844. |
| APA | T. Zhang,Y. Cheng,&X. R. Chen.(2014).Ab initio calculations of quantum transport of Au-GaN-Au nanoscale junctions.Rsc Advances,4(94),51838-51844. |
| MLA | T. Zhang,et al."Ab initio calculations of quantum transport of Au-GaN-Au nanoscale junctions".Rsc Advances 4.94(2014):51838-51844. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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