中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
电场作用下CSP的失效行为

文献类型:期刊论文

作者刘春忠 ; 崔献威 ; 吴迪 ; 刘志权
刊名沈阳航空航天大学学报
出版日期2014-04-25
期号2页码:43-46
关键词电迁移 无铅焊球 金属间化合物 芯片级封装
中文摘要主要研究95.5Sn3.8Ag0.7Cu焊球电迁移过程和焊点的失效行为,发现焊点的电迁移过程主要分为3个阶段:微孔洞的孕育与形成、孔洞的聚集和快速失效阶段。Cu6Sn5生长速率随着环境温度的升高而增大,Cu3Sn在UBM和Cu6Sn5的界面处也随着Cu6Sn5的长大而生成并生长,PCB侧的Cu焊盘在电子风的作用下溶解。焊点的失效模式主要为焊盘的溶解、焊球两个界面的裂纹生长断裂和焊球的熔化。
语种中文
公开日期2015-01-15
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73681]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘春忠,崔献威,吴迪,等. 电场作用下CSP的失效行为[J]. 沈阳航空航天大学学报,2014(2):43-46.
APA 刘春忠,崔献威,吴迪,&刘志权.(2014).电场作用下CSP的失效行为.沈阳航空航天大学学报(2),43-46.
MLA 刘春忠,et al."电场作用下CSP的失效行为".沈阳航空航天大学学报 .2(2014):43-46.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。