Synthesis of semimetal A(3)Bi (A = Na, K) thin films by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | J. ; Guo Wen, H. ; Yan, C. H. ; Wang, Z. Y. ; Chang, K. ; Deng, P. ; Zhang, T. ; Zhang, Z. D. ; Ji, S. H. ; Wang, L. L. ; He, K. ; Ma, X. C. ; Chen, X. ; Xue, Q. K. |
| 刊名 | Applied Surface Science
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 327页码:213-217 |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 关键词 | Na3Bi K3Bi STM ARPES MBE 3-dimensional topological insulator single dirac cone electronic-structure graphene bi2te3 phase surface bi2se3 limit |
| 原文出处 | |
| 公开日期 | 2015-05-08 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73973]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J.,Guo Wen, H.,Yan, C. H.,et al. Synthesis of semimetal A(3)Bi (A = Na, K) thin films by molecular beam epitaxy[J]. Applied Surface Science,2015,327:213-217. |
| APA | J..,Guo Wen, H..,Yan, C. H..,Wang, Z. Y..,Chang, K..,...&Xue, Q. K..(2015).Synthesis of semimetal A(3)Bi (A = Na, K) thin films by molecular beam epitaxy.Applied Surface Science,327,213-217. |
| MLA | J.,et al."Synthesis of semimetal A(3)Bi (A = Na, K) thin films by molecular beam epitaxy".Applied Surface Science 327(2015):213-217. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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