Dislocation-Induced Nanoparticle Decoration on a GaN Nanowire
文献类型：期刊论文
| 作者 | B. ; Yuan Yang, F. ; Liu, Q. Y. ; Huang, N. ; Qiu, J. H. ; Staedler, T. ; Liu, B. D. ; Jiang, X. |
| 刊名 | Acs Applied Materials & Interfaces
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 7期号:4页码:2790-2796 |
| 关键词 | GaN nanostructures dislocation nucleation growth oxide nanowires growth-process thin-films morphology heterojunctions microstructure nanostructures emission nanorods arrays |
| ISSN号 | 1944-8244 |
| 原文出处 | |
| 公开日期 | 2015-05-08 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73996]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B.,Yuan Yang, F.,Liu, Q. Y.,et al. Dislocation-Induced Nanoparticle Decoration on a GaN Nanowire[J]. Acs Applied Materials & Interfaces,2015,7(4):2790-2796. |
| APA | B..,Yuan Yang, F..,Liu, Q. Y..,Huang, N..,Qiu, J. H..,...&Jiang, X..(2015).Dislocation-Induced Nanoparticle Decoration on a GaN Nanowire.Acs Applied Materials & Interfaces,7(4),2790-2796. |
| MLA | B.,et al."Dislocation-Induced Nanoparticle Decoration on a GaN Nanowire".Acs Applied Materials & Interfaces 7.4(2015):2790-2796. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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