外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋克鹏 ; 杜奎 ; 叶恒强 |
| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 2015-02-15 |
| 期号 | 1页码:14-17 |
| 关键词 | 固体氧化物燃料电池 外延生长 GDC 位错 高分辨透射电子显微像 |
| 中文摘要 | 利用脉冲激光沉积(pulsed laser depositon,PLD)方法在YSZ(Y2O3stabilised zirconia)单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜(gadolinium doped CeO2,GDC)。利用透射电子显微镜(TEM)对GDC/YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。 |
| 公开日期 | 2015-05-11 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74107]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋克鹏,杜奎,叶恒强. 外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征[J]. 电子显微学报,2015(1):14-17. |
| APA | 宋克鹏,杜奎,&叶恒强.(2015).外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征.电子显微学报(1),14-17. |
| MLA | 宋克鹏,et al."外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征".电子显微学报 .1(2015):14-17. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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