掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于晓华 ; 荣菊 ; 詹肇麟 ; 王远 |
| 刊名 | 材料热处理学报
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| 出版日期 | 2015-03-25 |
| 期号 | 3页码:31-34 |
| 关键词 | ZnO压敏陶瓷 TiO2掺杂 压敏电压 非线性系数 漏电流 |
| 中文摘要 | 以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷。将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量。采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能。研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4μm,掺杂纳米TiO2高达30.5μm;当TiO2掺杂量为1.5%mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 m A及为非线性系数为20.1。 |
| 公开日期 | 2015-05-11 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74128]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于晓华,荣菊,詹肇麟,等. 掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响[J]. 材料热处理学报,2015(3):31-34. |
| APA | 于晓华,荣菊,詹肇麟,&王远.(2015).掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响.材料热处理学报(3),31-34. |
| MLA | 于晓华,et al."掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响".材料热处理学报 .3(2015):31-34. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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