单一导电属性单壁碳纳米管的可控制备
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘畅 ; 侯鹏翔 ; 成会明 |
| 出版日期 | 2014 |
| 会议名称 | 中国化学会第29届学术年会 |
| 会议日期 | 2014 |
| 会议地点 | 中国北京 |
| 关键词 | 单壁碳纳米管 半导体性 金属性 制备 |
| 页码 | 32 |
| 中文摘要 | 单壁碳纳米管(SWCNT)因直径和螺旋角不同可表现为金属性(m-)或半导体性(s-)。其中,s-SWCNT可用作场效应晶体管的沟道材料,而m-SWCNT可作为器件中的互联导线、电极或构建透明导电薄膜。因为通常制备得到的SWCNT样品是金属性和半导体性碳纳米管的混合物,为构建性能优异(载流子迁移率高、电流承载能力强、稳定性好)且均一性好的电子器件,亟需实现单一导电属性SWCNT的控制制备。一般说来,有两种方法生长单一结构和导电属性的SWCNT,即选择性刻蚀和直接生长。本报告将介绍以氢气或氧气为刻蚀剂,采用浮动催化剂化学气相沉积法宏量制备半导体性和金属性SWCNT[1-2];以及通过催化剂调控选择性生长SWCNT的研究进展。 |
| 会议主办者 | 中国化学会 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73723]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘畅,侯鹏翔,成会明. 单一导电属性单壁碳纳米管的可控制备[C]. 见:中国化学会第29届学术年会. 中国北京. 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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