一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁静秋
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-02-14 |
| 期号 | 2页码:224-231 |
| 关键词 | 平行背栅极 碳纳米管阵列 场增强因子 悬浮球 |
| 中文摘要 | 建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42605]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算[J]. 发光学报,2014(2):224-231. |
| APA | 梁静秋.(2014).一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算.发光学报(2),224-231. |
| MLA | 梁静秋."一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算".发光学报 .2(2014):224-231. |
入库方式： OAI收割
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