超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘星元
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-02-14 |
| 期号 | 2页码:238-242 |
| 关键词 | 场效应晶体管 EuF 3 修饰层 |
| 中文摘要 | 采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响。结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω·cm减至3.86×105Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3cm2·V-1·s-1。UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42632]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘星元. 超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升[J]. 发光学报,2014(2):238-242. |
| APA | 刘星元.(2014).超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升.发光学报(2),238-242. |
| MLA | 刘星元."超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升".发光学报 .2(2014):238-242. |
入库方式： OAI收割
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