氧化锌基材料、异质结构及光电器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振 ; 张振中
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-01-14 |
| 期号 | 1页码:1-60 |
| 关键词 | 氧化锌 氧化镁锌 外延薄膜 表面/界面工程 紫外探测器 |
| 中文摘要 | Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长、杂质调控和器件应用等方面的研究获得了巨大的进展。本文主要介绍了以国家973项目(2011CB302000)研究团队为主体,在上述方面所取得的研究进展,同时概述国际相关研究,主要包括衬底级ZnO单晶的生长,ZnO薄膜的同质、异质外延,表面/界面工程,异质结电子输运性质、合金能带工程,p型掺杂薄膜的杂质调控,以及基于上述结果的探测、发光和激光器件等的研究进展。迄今为止,该团队已经实现了薄膜同质外延的二维生长、硅衬底上高质量异质外延、基于MgZnO合金薄膜的日盲紫外探测器、可重复的p型掺杂、可连续工作数十小时的同质结紫外发光管以及模式可控的异质结微纳紫外激光器件等重大成果。本文针对这些研究内容中存在的问题和困难加以剖析并探索新的研究途径,期望能对ZnO材料在未来的实际应用起到一定的促进作用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42634]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,张振中. 氧化锌基材料、异质结构及光电器件[J]. 发光学报,2014(1):1-60. |
| APA | 申德振,&张振中.(2014).氧化锌基材料、异质结构及光电器件.发光学报(1),1-60. |
| MLA | 申德振,et al."氧化锌基材料、异质结构及光电器件".发光学报 .1(2014):1-60. |
入库方式： OAI收割
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