通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王双鹏 ; 赵东旭; 姜明明; 申德振; 刘雷; 张振中; 李炳辉
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014 |
| 期号 | 4页码:399-403 |
| 关键词 | 氧化锌 p型掺杂 间歇性补氧 |
| 中文摘要 | 使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42668]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王双鹏,赵东旭,姜明明,等. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性[J]. 发光学报,2014(4):399-403. |
| APA | 王双鹏.,赵东旭.,姜明明.,申德振.,刘雷.,...&李炳辉.(2014).通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性.发光学报(4),399-403. |
| MLA | 王双鹏,et al."通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性".发光学报 .4(2014):399-403. |
入库方式： OAI收割
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