Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张振中 ; 申德振; 谢修华
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014 |
| 期号 | 8页码:922-925 |
| 关键词 | 立方相MgZnO Ga掺杂 晶体结构 相分离 |
| 中文摘要 | 采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O:Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8%~4.5%。低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性。随着Ga元素的摩尔分数升高至3.1%、3.3%与4.5%,立方相MgZnO中分别出现了Ga2O3、ZnO与ZnGa2O4分相。其中,Ga2O3与ZnGa2O4相的出现是由于Ga的掺杂使这两相在MgZnO基质中饱和析出,而ZnO分相被归因于Ga的引入部分破坏了立方MgZnO的亚稳态结构状态,使组分原本就处于分相区的立方MgZnO出现相分离。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42674]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,申德振,谢修华. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响[J]. 发光学报,2014(8):922-925. |
| APA | 张振中,申德振,&谢修华.(2014).Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响.发光学报(8),922-925. |
| MLA | 张振中,et al."Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响".发光学报 .8(2014):922-925. |
入库方式： OAI收割
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