飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵海峰
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2014-03-22 |
| 期号 | 6页码:259-264 |
| 关键词 | 光电导增益 6H碳化硅 飞秒激光 |
| 中文摘要 | 半绝缘6H型碳化硅(6H-SiC)具有高电阻率性质,在可见光照射下进行光电导测量时,通常光生电流很小;然而经过飞秒激光辐照改性之后,发现在可见光波段的光电导有明显的增益.本文利用紫外-可见-近红外吸收谱、X射线光电子能谱和发光光谱测量分析了激光改性之后碳化硅样品的光谱吸收、发射和晶体元素比例变化情况.分析认为碳化硅光电导增益的原因是飞秒激光辐照过程改变了碳化硅表面的硅碳元素的原子浓度比,形成新的物质结构形式,从而导致了表面光电导性能的提高. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42690]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵海峰. 飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究[J]. 物理学报,2014(6):259-264. |
| APA | 赵海峰.(2014).飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究.物理学报(6),259-264. |
| MLA | 赵海峰."飞秒激光改性6H-碳化硅晶体表面光电导增益现象研究".物理学报 .6(2014):259-264. |
入库方式： OAI收割
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