极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 喻波 ; 金春水
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| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2014-05-09 |
| 期号 | 5页码:299-305 |
| 关键词 | 薄膜 极紫外光刻 碳沉积模型 迭代法 |
| 中文摘要 | 极紫外光刻(EUVL)是最有可能实现22nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外(EUV)光刻系统使用波长为13.5nm,在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而,在极紫外光辐照下的光学元件,薄膜表层的碳化和氧化是导致EUV反射膜反射率下降的两种主要机制。结合EUV光学器件的表面分子动力学理论,研究碳沉积层的作用机理,以便找到抑制污染沉积的有效方法。通过针对碳污染层模型的计算研究,验证了模型和假设的有效性,从侧面证明了Boller等的二次电子诱导分解是主要沉积过程理论。通过迭代法模拟了控制污染的几个关键参数对沉积层的影响,得到50~80nm的非工作波段产生的碳沉积最为严重的计算结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42763]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 喻波,金春水. 极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型[J]. 光学学报,2014(5):299-305. |
| APA | 喻波,&金春水.(2014).极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型.光学学报(5),299-305. |
| MLA | 喻波,et al."极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型".光学学报 .5(2014):299-305. |
入库方式： OAI收割
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