硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王双鹏 ; 李炳辉; 申德振; 刘雷; 赵东旭; 姜明明; 张振中
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-07-14 |
| 期号 | 7页码:795-799 |
| 关键词 | ZnO B/N共掺 p型掺杂 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42829]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王双鹏,李炳辉,申德振,等. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响[J]. 发光学报,2014(7):795-799. |
| APA | 王双鹏.,李炳辉.,申德振.,刘雷.,赵东旭.,...&张振中.(2014).硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响.发光学报(7),795-799. |
| MLA | 王双鹏,et al."硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响".发光学报 .7(2014):795-799. |
入库方式： OAI收割
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