AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕金光 ; 梁中翥; 梁静秋; 田超; 李春; 秦余欣
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-07-14 |
| 期号 | 7页码:840-845 |
| 关键词 | AlGaInP 回型电极 微型阵列 热效应 热沉结构 |
| 中文摘要 | 对AlGaInP-LED微型阵列发光单元的内部自发热机制进行了分析,并通过对具有回型上电极的发光单元的理论分析与计算,得到了其内量子效率与注入电流的变化关系及器件温度与所加偏压的变化关系。为保证内量子效率取值范围大于85%,得到了器件的最佳工作电流和最佳驱动电压范围以及微阵列各层结构在最佳驱动电压下的热阻分布。通过计算得出器件在2.2 V电压下,从p-n结到外部环境的有效热阻为96.7℃/W。讨论了减小器件热阻的方法,计算得出在理想情况下,添加热沉结构后有效热阻降为30.6℃/W,表明所设计的热沉结构对器件的散热起到了明显的改善作用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42834]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕金光,梁中翥,梁静秋,等. AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析[J]. 发光学报,2014(7):840-845. |
| APA | 吕金光,梁中翥,梁静秋,田超,李春,&秦余欣.(2014).AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析.发光学报(7),840-845. |
| MLA | 吕金光,et al."AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析".发光学报 .7(2014):840-845. |
入库方式： OAI收割
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