SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蒋红 ; 宋航
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| 刊名 | 光电子.激光
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| 出版日期 | 2014-06-14 |
| 期号 | 6页码:1115-1118 |
| 关键词 | SiC SiO2 核壳结构 光致发光(PL) |
| 中文摘要 | 采用简单的气固反应,在Si衬底上成功制备了SiC一维纳米材料。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线电子能谱(EDX)、X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)等手段研究了材料的表面形貌、结构组成和光学性质。研究结果表明,制备的纳米材料为SiC/SiO2核壳结构纳米线,在室温时发射中心波长分别为380nm和505nm的紫外峰和绿光带。经分析认为,波长380nm的紫外峰来源于SiO2中的O空位缺陷;而中心波长505nm的绿光带则来源于受量子尺寸效应影响并包覆了SiO2外壳的SiC内核。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42899]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋红,宋航. SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究[J]. 光电子.激光,2014(6):1115-1118. |
| APA | 蒋红,&宋航.(2014).SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究.光电子.激光(6),1115-1118. |
| MLA | 蒋红,et al."SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究".光电子.激光 .6(2014):1115-1118. |
入库方式： OAI收割
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