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梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长

文献类型:期刊论文

作者刘雷; 赵东旭; 李炳辉; 姜明明; 王双鹏; 张振中; 申德振; 刘可为
刊名发光学报
出版日期2014-09-14
期号9页码:1040-1045
关键词立方MgZnO 缓冲层 带隙调制
中文摘要为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
语种中文
公开日期2015-05-27
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42968]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
刘雷,赵东旭,李炳辉,等. 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长[J]. 发光学报,2014(9):1040-1045.
APA 刘雷.,赵东旭.,李炳辉.,姜明明.,王双鹏.,...&刘可为.(2014).梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长.发光学报(9),1040-1045.
MLA 刘雷,et al."梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长".发光学报 .9(2014):1040-1045.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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