高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵
文献类型:期刊论文
作者 | 张金龙![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 发光学报
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出版日期 | 2014-09-14 |
期号 | 9页码:1098-1103 |
关键词 | 高峰值功率 808 nm 垂直腔面发射激光器 列阵 |
中文摘要 | 为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VCSEL列阵。通过波形分析法对VCSEL列阵的功率进行了测量:在脉冲宽度为20 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为110 A的条件下,最大峰值功率为30 W;在脉冲宽度为60 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为30 A的条件下,最大功率为9 W。对列阵的近场和远场进行了测量,激光器垂直发散角和水平发散角半高全宽分别为16.9°和17.6°。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2015-05-27 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42969] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张金龙,宁永强,王立军,等. 高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵[J]. 发光学报,2014(9):1098-1103. |
APA | 张金龙,宁永强,王立军,&张星.(2014).高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵.发光学报(9),1098-1103. |
MLA | 张金龙,et al."高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵".发光学报 .9(2014):1098-1103. |
入库方式: OAI收割
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