中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵

文献类型:期刊论文

作者张金龙; 宁永强; 王立军; 张星
刊名发光学报
出版日期2014-09-14
期号9页码:1098-1103
关键词高峰值功率 808 nm 垂直腔面发射激光器 列阵
中文摘要为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VCSEL列阵。通过波形分析法对VCSEL列阵的功率进行了测量:在脉冲宽度为20 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为110 A的条件下,最大峰值功率为30 W;在脉冲宽度为60 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为30 A的条件下,最大功率为9 W。对列阵的近场和远场进行了测量,激光器垂直发散角和水平发散角半高全宽分别为16.9°和17.6°。
语种中文
公开日期2015-05-27
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42969]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张金龙,宁永强,王立军,等. 高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵[J]. 发光学报,2014(9):1098-1103.
APA 张金龙,宁永强,王立军,&张星.(2014).高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵.发光学报(9),1098-1103.
MLA 张金龙,et al."高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵".发光学报 .9(2014):1098-1103.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。