电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 张振中![]() ![]() ![]() |
刊名 | 发光学报
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出版日期 | 2014-10-15 |
期号 | 10页码:1172-1175 |
关键词 | ZnO 光电探测器 MSM 电极间距 响应度 |
中文摘要 | 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。利用Au电极,在ZnO薄膜上制备电极间距不同的金属-半导体-金属结构紫外光电探测器。发现随着电极间距从150μm降至5μm,探测器响应度呈现出从15 mA/W到75 mA/W的明显提高。同时,随着电极间距的减小,器件的I-V曲线线形发生了显著改变。这被归结为电极间距变化改变了器件耗尽区宽度和电极间电阻造成的结果。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2015-05-27 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43033] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,刘可为,申德振. 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响[J]. 发光学报,2014(10):1172-1175. |
APA | 张振中,刘可为,&申德振.(2014).电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响.发光学报(10),1172-1175. |
MLA | 张振中,et al."电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响".发光学报 .10(2014):1172-1175. |
入库方式: OAI收割
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