Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张振中 ; 申德振; 谢修华
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-12-15 |
| 期号 | 12页码:1405-1409 |
| 关键词 | MgZnO Ga掺杂 能级深度 电阻 |
| 中文摘要 | 通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在Zn O晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂MgxZn1-xO薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO∶Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 me V,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43068]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,申德振,谢修华. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响[J]. 发光学报,2014(12):1405-1409. |
| APA | 张振中,申德振,&谢修华.(2014).Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响.发光学报(12),1405-1409. |
| MLA | 张振中,et al."Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响".发光学报 .12(2014):1405-1409. |
入库方式： OAI收割
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