浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器
文献类型:期刊论文
作者 | 张星![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 中国激光
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出版日期 | 2014-12-10 |
期号 | 12页码:28-33 |
关键词 | 激光器 半导体激光器 矩形台面 浅面浮雕 |
中文摘要 | 为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)大功率窄线宽输出,设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器(SR VCSEL)。电流密度分布会影响模式的分布,模拟结果表明,矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL,在有源区面积增大的情况下,电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后,高阶模式比基模的阈值增益的变化大,基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明,矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制,测试结果得到连续输出为5.87mW,光谱宽度为0.1nm,功率偏振度为10,横向模式抑制比超过30dB的窄线宽输出。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2015-05-27 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43133] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张星,贾鹏,宁永强,等. 浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器[J]. 中国激光,2014(12):28-33. |
APA | 张星,贾鹏,宁永强,王立军,&秦莉.(2014).浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器.中国激光(12),28-33. |
MLA | 张星,et al."浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器".中国激光 .12(2014):28-33. |
入库方式: OAI收割
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