阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹军胜
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| 刊名 | 激光杂志
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| 出版日期 | 2014-03-14 |
| 期号 | 3页码:42258 |
| 关键词 | 半导体激光器 电导数 可靠性 |
| 中文摘要 | 采用电导数方法提取了半导体激光器阵列的结特征参量m,并对阵列结特征参量m与器件可靠性的关系进行了理论与实验研究,结果表明:m值可以作为阵列可靠性检测的一个重要判据,同一批次的阵列器件中,m值大的器件属于低可靠性器件;阵列m值大则说明单元m值大,或阵列存在严重电流泄漏通道,或阵列单元一致性差等。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43228]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹军胜. 阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究[J]. 激光杂志,2014(3):42258. |
| APA | 曹军胜.(2014).阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究.激光杂志(3),42258. |
| MLA | 曹军胜."阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究".激光杂志 .3(2014):42258. |
入库方式： OAI收割
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