基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜明明 ; 陈星; 王双鹏; 张振中; 李炳辉; 赵东旭; 刘雷; 刘可为; 申德振
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2014-11-15 |
| 期号 | 11页码:1291-1296 |
| 关键词 | 立方MgZnO 深紫外探测器 光导增益 |
| 中文摘要 | 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43446]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜明明,陈星,王双鹏,等. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器[J]. 发光学报,2014(11):1291-1296. |
| APA | 姜明明.,陈星.,王双鹏.,张振中.,李炳辉.,...&申德振.(2014).基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器.发光学报(11),1291-1296. |
| MLA | 姜明明,et al."基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器".发光学报 .11(2014):1291-1296. |
入库方式： OAI收割
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