器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁静秋
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| 刊名 | 光子学报
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| 出版日期 | 2014-10-15 |
| 期号 | 10页码:52-59 |
| 关键词 | 碳纳米管 冷阴极 悬浮球 场发射 接触电阻 电介质 |
| 中文摘要 | 基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43452]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. 器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)[J]. 光子学报,2014(10):52-59. |
| APA | 梁静秋.(2014).器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文).光子学报(10),52-59. |
| MLA | 梁静秋."器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)".光子学报 .10(2014):52-59. |
入库方式： OAI收割
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