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质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析

文献类型:期刊论文

作者文林; 李豫东; 郭旗; 任迪远; 汪波; 玛丽娅
刊名物理学报
出版日期2015
卷号64期号:2页码:257-263
关键词电荷耦合器件 质子辐照 电离效应 位移损伤
ISSN号1000-3290
中文摘要针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题,为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律,对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices,CCD)进行了10 Me V质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究.试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特性的变化.试验结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复.通过对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型,得到了暗信号及电荷转移效率随辐照注量退化的半经验公式.上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考.
收录类别SCI
资助信息国家自然科学基金
公开日期2015-03-04
源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4192]  
专题新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
固体辐射物理研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
文林,李豫东,郭旗,等. 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析[J]. 物理学报,2015,64(2):257-263.
APA 文林,李豫东,郭旗,任迪远,汪波,&玛丽娅.(2015).质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析.物理学报,64(2),257-263.
MLA 文林,et al."质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析".物理学报 64.2(2015):257-263.

入库方式: OAI收割

来源:新疆理化技术研究所

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