Z-型石墨烯纳米带在Si(001)表面吸附及掺杂的第一性原理研究
文献类型:学位论文
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作者 | 李静 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2015-05-23 ; 2015-05-23 |
文献子类 | 博士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 ; 北京 |
导师 | 李树深 院士+杨身园 副研究员 ; 李树深 院士+杨身园 副研究员 |
关键词 | 密度泛函理论+Z-型石墨烯纳米带+Si(001)表面+吸附+掺杂 密度泛函理论+z-型石墨烯纳米带+si(001)表面+吸附+掺杂 |
学位专业 | 凝聚态物理 |
学位专业 | 凝聚态物理 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
公开日期 | 2015-06-01 ; 2015-06-01 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26511] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李静. Z-型石墨烯纳米带在Si(001)表面吸附及掺杂的第一性原理研究, Z-型石墨烯纳米带在Si(001)表面吸附及掺杂的第一性原理研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2015, 2015. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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