流体静压原位调谐InAs/GaAs单量子点激子光学性质
文献类型:学位论文
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作者 | 武雪飞 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2015-05-29 ; 2015-05-29 |
文献子类 | 博士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 ; 北京 |
导师 | 孙宝权 ; 孙宝权 |
关键词 | InAs/GaAs单量子点 流体静压 单光子源 双激子束缚能 聚束效应 Inas/gaas单量子点 流体静压 单光子源 双激子束缚能 聚束效应 |
学位专业 | 凝聚态物理 |
学位专业 | 凝聚态物理 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
公开日期 | 2015-06-01 ; 2015-06-01 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26516] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 武雪飞. 流体静压原位调谐InAs/GaAs单量子点激子光学性质, 流体静压原位调谐InAs/GaAs单量子点激子光学性质[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2015, 2015. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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