The Cu based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li D(李迪) |
| 刊名 | chin.phys.lett
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| 出版日期 | 2015-05 |
| 卷号 | 32期号:6 |
| 公开日期 | 2015-05-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26498]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li D. The Cu based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode[J]. chin.phys.lett,2015,32(6). |
| APA | Li D.(2015).The Cu based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode.chin.phys.lett,32(6). |
| MLA | Li D."The Cu based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode".chin.phys.lett 32.6(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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