GaN基发光器件关键材料的MOCVD生长研究
文献类型:学位论文
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作者 | 周坤 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2015-05-26 ; 2015-05-26 |
文献子类 | 博士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 ; 北京 |
导师 | 杨辉 ; 杨辉 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
公开日期 | 2015-05-29 ; 2015-05-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26508] |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周坤. GaN基发光器件关键材料的MOCVD生长研究, GaN基发光器件关键材料的MOCVD生长研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2015, 2015. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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