快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究
文献类型：学位论文
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| 作者 | 温娟娟 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2015-05-28 ; 2015-05-28 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 王启明 ; 成步文 ; 王启明 ; 成步文 |
| 关键词 | GOI RMG 光致发光 晶格旋转 Si-Ge互扩散 Goi Rmg 光致发光 晶格旋转 Si-ge互扩散 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 公开日期 | 2015-06-01 ; 2015-06-01 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26517]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温娟娟. 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究, 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2015, 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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