硅基一维横向纳米材料及器件研究
文献类型：学位论文
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| 作者 | 张大林 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2015-05-28 ; 2015-05-28 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 ; 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 成步文 ; 李传波 ; 成步文 ; 李传波 |
| 关键词 | Si 基 一维纳米材料 GeSn 一维横向生长 横向转移 Si 基 一维纳米材料 Gesn 一维横向生长 横向转移 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体器件 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2015-06-01 ; 2015-06-01 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26521]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张大林. 硅基一维横向纳米材料及器件研究, 硅基一维横向纳米材料及器件研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院大学, 中国科学院大学. 2015, 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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