负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究
文献类型：学位论文
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| 作者 | 侍铭 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2015-05-29 ; 2015-05-29 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 赵德刚 ; 赵德刚 |
| 关键词 | AlN 冷阴极 场致电子发射 硅掺杂 击穿 Aln 冷阴极 场致电子发射 硅掺杂 击穿 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2015-06-02 ; 2015-06-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26525]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侍铭. 负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究, 负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2015, 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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