GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陶东言 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2015-05-27 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 赵有文 |
| 关键词 | 稀磁半导体 GaN GaSb 表面钝化 肖特基器件 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 公开日期 | 2015-05-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26500]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶东言. GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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