GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究
文献类型:学位论文
作者 | 程雨 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2015-05-27 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 赵有文 |
关键词 | 锑化镓(GaSb) 化学机械抛光 二次离子质谱(SIMS) XPS 表面形貌 |
学位专业 | 材料工程 |
学科主题 | 半导体材料 |
公开日期 | 2015-05-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26501] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程雨. GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2015. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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