硅衬底氮化镓材料制备生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 冯玉霞 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2015-06-01 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 杨少延 |
| 关键词 | Si衬底 AlN GaN 生长机制 应力 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2015-06-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26568]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯玉霞. 硅衬底氮化镓材料制备生长研究[D]. 北京. 中国科学院大学. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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