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硅衬底氮化镓材料制备生长研究

文献类型:学位论文

作者冯玉霞
学位类别博士
答辩日期2015-06-01
授予单位中国科学院大学
授予地点北京
导师杨少延
关键词Si衬底 AlN GaN 生长机制 应力
学位专业材料物理与化学
学科主题半导体材料
公开日期2015-06-02
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26568]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
冯玉霞. 硅衬底氮化镓材料制备生长研究[D]. 北京. 中国科学院大学. 2015.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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