纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发
文献类型：学位论文
| 作者 | 付英春 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2015-06-02 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 杨富华 ; 王晓峰 |
| 关键词 | 相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2015-06-03 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26588]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付英春. 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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