CCD器件辐射损伤参数测试方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 葛钊; 陈佳杰; 李豫东 ; 吾勤之
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| 刊名 | 上海航天
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 32期号:2页码:64-68 |
| 关键词 | 辐射效应 参数测试方法 光谱响应 |
| ISSN号 | 1006-1630 |
| 中文摘要 | 为准确而高效实现CCD辐射损伤参数的定量测试与分析,根据现有的光电成像器件辐射效应测试系统,研究了CCD器件的辐射损伤参数测试方法,可测试暗信号、电荷转移效率、饱和输出电压、固定图像噪声、光响应非均匀性和光谱响应等参数。用此法获得了某CCD器件在60 Co-γ射线源辐照下的参数变化规律。结果表明:该测试方法利于CCD辐射损伤的分析,可为CCD的辐射效应研究和抗辐射性能评估提供试验数据。 |
| 公开日期 | 2015-06-26 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4275]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 上海航天技术研究院；中国科学院新疆理化技术研究所；上海航天基础技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛钊,陈佳杰,李豫东,等. CCD器件辐射损伤参数测试方法[J]. 上海航天,2015,32(2):64-68. |
| APA | 葛钊,陈佳杰,李豫东,&吾勤之.(2015).CCD器件辐射损伤参数测试方法.上海航天,32(2),64-68. |
| MLA | 葛钊,et al."CCD器件辐射损伤参数测试方法".上海航天 32.2(2015):64-68. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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