电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析
文献类型:期刊论文
作者 | 曾骏哲; 何承发![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 2015 |
卷号 | 64期号:11页码:225-232 |
关键词 | 电荷耦合器件 质子辐照 位移效应 输运仿真 |
ISSN号 | 1000-3290 |
中文摘要 | 应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律.研究结果显示,暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致;退火后暗信号大幅度降低,辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%;退火后电荷转移效率恢复较小,电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷.通过总结试验规律,推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子kdamage. |
收录类别 | SCI |
资助信息 | 国家自然科学基金资助课题 |
公开日期 | 2015-06-26 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4282] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
作者单位 | 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾骏哲,何承发,李豫东,等. 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析[J]. 物理学报,2015,64(11):225-232. |
APA | 曾骏哲.,何承发.,李豫东.,郭旗.,文林.,...&王海娇.(2015).电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析.物理学报,64(11),225-232. |
MLA | 曾骏哲,et al."电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析".物理学报 64.11(2015):225-232. |
入库方式: OAI收割
来源:新疆理化技术研究所
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