工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 庄大明 ; 刘家浚 ; 李文治 ; 朱宝亮 ; 张绪寿 ; 张平余 |
| 刊名 | 摩擦学学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 15期号:2页码:97-103 |
| 关键词 | 离子束增强沉积 陶瓷 薄膜 化学组成 晶体结构 单晶硅 52100钢 ion beam enhanced deposition ceramics thin film chemical composition crystal structure single crystal silicon 52100 steel |
| ISSN号 | 1004-0595 |
| 通讯作者 | 庄大明 |
| 中文摘要 | 本世纪80年代以来，利用各种表面技术将陶瓷材料涂覆于金属零件表面的研究发展很快，离子束增强沉积技术以其突出的优点更受到重视．利用这种技术合成陶瓷薄膜是一种新的物理气相沉积方法，而沉积薄膜的质量、性能和成膜速度都会受到工艺因素的影响．由于氮化硅陶瓷的硬度高，韧性和高温稳定性都比较好，是一种相当理想的耐磨材料，且其还有一定的自润滑性．因此，着重研究了氮离子束流和束压、氮离子与硅原子在基片上的到达比，以及不同基体对离子束增强沉积氮化硅薄膜的化学组成和晶体结构的影响．结果表明，薄膜中N/Si原子比是随着离子原子到达比的增大而增大，要使氮与硅的原子比达到Si3N4中的化学计量比1.33，到达比就必须达到4；将氮离子束压由3 kV增大到9 kV，可以使薄膜中的氮含量明显提高，但继续增大束压，氮原子含量却反而逐渐降低；沉积在单晶硅基片上的Si3N4是非晶态，而沉积于52100钢片上的则是β-Si3N4多晶体。研究结果可以作为优化制膜工艺的科学依据。 |
| 学科主题 | 材料科学与物理化学 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-07-09 |
| 源URL | [http://210.77.64.217/handle/362003/7372]  |
| 专题 | 兰州化学物理研究所_非现建制 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄大明,刘家浚,李文治,等. 工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响[J]. 摩擦学学报,1995,15(2):97-103. |
| APA | 庄大明,刘家浚,李文治,朱宝亮,张绪寿,&张平余.(1995).工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响.摩擦学学报,15(2),97-103. |
| MLA | 庄大明,et al."工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响".摩擦学学报 15.2(1995):97-103. |
入库方式： OAI收割
来源：兰州化学物理研究所
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