几种硫属化合物半导体的电化学与光电化学研究
文献类型：学位论文
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| 作者 | 孙公权 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1993 |
| 授予单位 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 关键词 | 化合物半导体 硫属化合物 电化学性质 光电化学性质 |
| 其他题名 | Electrochemical and Photoelectro Chemical Properties of Chalcogenides |
| 学位专业 | 物理化学(physical chemistry) |
| 中文摘要 | 本文分别用恒电位电沉积和恒电位脉冲电沉积技术在ITO基底上成功地沉积出表面平滑均匀、与基底附着牢固、具有一定光活性的CdS多晶薄膜。系统地考察了CdS薄膜的电性质、光性质及光电化学行为。用电沉积技术在不同基底（Ni、Ti、ITO）上成功地实现了Hg_(1-X)Cd_xTe(MCT)的三元共沉积。初步组装了P-Hg_(1-X)Cd_xTe/n-CdS异质结PV池。研究了层状结构材料n-InSe的PEC行为并考察了多种单晶材料，诸如CdS、CdTe、CdSe、InSe等的光阳极特性和界面行为。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-01-17 |
| 页码 | 172 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/35551]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙公权. 几种硫属化合物半导体的电化学与光电化学研究, Electrochemical and Photoelectro Chemical Properties of Chalcogenides[D]. 中国科学院长春应用化学研究所. 中国科学院长春应用化学研究所. 1993. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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