基于SiGe HBT 的微波低温低噪声放大器研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 任晓东 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2015-05 |
| 授予单位 | 中科院紫金山天文台 |
| 授予地点 | 南京 |
| 导师 | 单文磊 |
| 关键词 | 双极性导质结晶体管 低噪声放大器 锗硅 增益稳定性 温度特性 |
| 学位专业 | 电子与通信工程 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-09-22 |
| 源URL | [http://libir.pmo.ac.cn/handle/332002/14684]  |
| 专题 | 紫金山天文台_中国科学院紫金山天文台研究生部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任晓东. 基于SiGe HBT 的微波低温低噪声放大器研究[D]. 南京. 中科院紫金山天文台. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：紫金山天文台
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