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基于新结构的钴基赝电容材料研究及器件设计

文献类型:学位论文

作者耿学文
学位类别博士后
答辩日期2015-10-01
授予单位中国科学院研究生院
授予地点北京
导师沈国震
学位专业电子科学与技术
公开日期2015-10-15
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26615]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
耿学文. 基于新结构的钴基赝电容材料研究及器件设计[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2015.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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